– профессор и заведующий кафедрой «Электротехника и электроника»;
Работа в университете
2002 по наст. время
1986 – 1990
– ассистент кафедры «Физика»;
1990 – 1993
– ст. преподаватель кафедры «Физика»;
1993 – 2002
– доцент кафедры «Физика»
Лаврентьев Анатолий Александрович
Заведующий кафедрой
,
д.ф.-м.н.
,
Профессор
Биография и награды
Родился 12 октября 1952 г.
1969 г.- окончил среднюю школу с золотой медалью и поступил на физический факультет Ростовского государственного университета, который закончил с красным дипломом в 1974 году.
В 1975-1976 г.г. служба в рядах СА.
С 1976 г. по 1978 г. работал старшим научным сотрудником НИСа Ростовского пединститута, а в 1979 по сентябрь 1980 г. работал старшим научным сотрудником НИЧ Ростовского государственного университета (РГУ). В сентябре 1980 г. поступил в очную аспирантуру на кафедру физики твердого тела РГУ, по окончании которой работал в научно-исследовательской части РГУ. В декабре 1985 г. Лаврентьев А.А. защитил диссертацию на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. В декабре 1986 переходит на работу в РИСХМ-ДГТУ и с этого момента по настоящее время его жизнь связана с этим учебным заведением. Сначала он работает на кафедре «Физика» ассистентом, старшим преподавателем (1990 г.), доцентом (1993 г.).
В сентябре 2001 г. защитил докторскую диссертацию и в июле 2002 г. он переходит на работу на кафедру «Электротехника и электроника», где работает профессором и заведующим кафедрой по настоящее время. В ноябре 2003 г. присвоено ученое звание профессора.
Доцент Ананченко Л.Н. является заместителем заведующего кафедрой «Электротехника и электроника» по методической работе, членом ученого совета факультета «Автоматизация, мехатроника и управление», членом научно-методических советов по двум направлениям в университете.
В 2014-2015 г.г. приняла активное участие в подготовке документации по аккредитации в университете прикладного бакалавриата по направлению 13.03.02 профиля «Электрооборудование автомобилей и тракторов» и академического бакалавриата по направлению 11.03.04 профиля «Промышленная электроника и микропроцессорная техника»;
Принимает активное участие в методическом обеспечении и внедрении в учебный процесс лаборатории Модульной сборки электрических и электронных схем (ауд. 257);
В настоящее время преподает дисциплины: Электротехника и электроника, Электроника и микропроцессорная техника, Цифровая электроника.
Образование
1974
Ростовский государственный университет,
физика твердого тела
1985
Ростовский государственный университет,
защитил диссертацию на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук.
2001
Ростовский государственный университет,
защитил диссертацию на соискание ученой степени доктора физико-математических наук.
Преподаваемые дисциплины
Электротехника и электроника
Теоретические основы электротехники
Методология научных исследований в отрасли
Профессиональный опыт
1974 – 1975
– институт физики металлов Уральского научного центра АН СССР (г. Свердловск);
1975 – 1978
– старший научный сотрудник НИСа Ростовского пединститута;
1979 – 1980
– старший научный сотрудник НИЧ Ростовского государственного университета (РГУ);
1983 – 1985
– старший научный сотрудник НИЧ Ростовского государственного университета (РГУ);
1986 – 1990
– ассистент кафедры «Физика» ДГТУ;
1990 – 1993
– ст. преподаватель кафедры «Физика» ДГТУ;
1993 – 2002
– доцент кафедры «Физика» ДГТУ;
2002 по наст. время
– профессор и заведующий кафедрой «Электротехника и электроника» ДГТУ
Стаж работы
45
Стаж работы по специальности
35
Научные интересы
Квантово-механические расчеты электронно-энергетической структуры, рентгеновская и рентгеноэлектронная спектроскопия сложных полупроводниковых материалов
Повышение квалификации и (или) профессиональная подготовка
2018, "Электронная информационно образовательная среда вуза", ДГТУ, Ростов-на -Дону, 72 часа
2018, "Оказание первой медицинской помощи", ДГТУ, Ростов-на -Дону, 72 часа
2018, "Комплексное сопровождение образовательного процесса инвалидов и лиц с ограниченными возможностями", ДГТУ, Ростов-на -Дону, 72 часа
Удостоверение о повышении квалификации от 19.04.2019г. № 612400012656 «Математические методы в науке и технике», 16 часов, ФГБОУ ВО ДГТУ
Удостоверение о повышении квалификации от 11.04.2019г. № 612400012873 «Применение микроэлектронных средств в системах управления», 16 часов, ФГБОУ ВО ДГТУ
Удостоверение о повышении квалификации от 03.06.2016 № 612400000846, «Организационно-методическое сопровождение научных исследований в ВУЗе», 72 часа, ФГБОУ ВО ДГТУ
Публикации
Electronic structure and optical properties of ag2hgsnse4: first-principles dft calculations and x-ray spectroscopy studies / Vu T.V., Lavrentyev A.A., Gabrelian B.V., Parasyuk O.V., Khyzhun O.Y., Ocheretova V.A.
// Journal of Alloys and Compounds. 2018. Т. 732. С. 372-384.
Particular features of the electronic structure and optical properties of AG2PBGES4 as evidenced from first-principles DFT calculations and XPS studies / Vu T.V., Lavrentyev A.A., Gabrelian B.V., Ocheretova V.A., Parasyuk O.V., Khyzhun O.Y.
// Materials Chemistry and Physics. 2018. Т. 208. С. 268-280.
Electronic structure and optical properties of defect chalcopyrite HGGA2SE4 / Gabrelian B.V., Lavrentyev A.A., Vu T.V., Parasyuk O.V., Khyzhun O.Y.
// Optical Materials. 2018. Т. 75. С. 538-546.
Электронно-энергетическая структура сложных халькогенидов и халькогалогенидов: монография / А.А. Лаврентьев, Б.В. Габрельян, Т. Ву, О.Ю. Хижун
. – Ростов-на-Дону. – 316 с.
А.А. Лаврентьев, Б.В. Габрельян, П.Н. Шкумат, И.Я. Никифоров, О.В. Парасюк, О.Ю. Хижун. Электронная структура дефектного халькопирита CdGa2Se4 по данным теоретического расчета «из первых принципов» и
рентгеноспектральных исследований.
Журнал структурной химии, 2015. Том 56, №3 Май-Июнь, С.552-555. . Impact Factor: 0.642, включ. в другие международные базыцитирования.
A.A. Lavrentyev, B.V. Gabrelyan, V.T.Vu, P.N. Shkumat, G.L. Myronchuk, M. Khvyshchun, A.O. Fedorchuk, O.V. Parasyuk, O.Y. Khyzhun. Electronic structure and optical properties of Cs2HgI4:
Experimental study and band-structure DFT calculations
Optical Materials 42
(2015) 351-360. Impact Factor: 1.981, SCOPUS.
A.A. Lavrentyev, B.V. Gabrelian, V.T. Vu, P.N. Shkumat, O.V. Parasyuk, A.O. Fedorchuk, O.Y. Khyzhun Single crystal growth, electronic structure and optical properties of Cs2HgBr4
J. Phys. Chem. Solids – 85 (2015) 254–263. Impact Factor: 1.853, SCOPUS.
A.A. Lavrentyev, B.V. Gabrelian, V.T. Vu, P.N. Shkumat, V.A. Ocheretova, O.V. Parasyuk, O.Y. Khyzhun Electronic structure and optical properties of Cu2CdGeS4:
DFT calculations and X-ray spectroscopy measurements
Optical Materials 47 (2015) 435–444. Impact Factor: 1.981, SCOPUS.
A.A. Lavrentyev, B.V. Gabrelian, V.T. Vu, N.M. Denysyuk, P.N. Shkumat, A.Y. Tarasova, L.I. Isaenko, O.Y. Khyzhun Electronic structure and optical properties of RbPb2Br5
J.
Phys. Chem. Solids – 91 (2016) 22–33. Impact Factor:
1.853, SCOPUS
A.A. Lavrentyev, B.V. Gabrelian, V.T. Vu, N.M. Denysyuk, P.N. Shkumat, A.Y. Tarasova, L.I. Isaenko, O.Y. Khyzhun Specific features of the electronic structure and optical properties of KPb2Br5: DFT
calculations and X-ray spectroscopy measurements
Optical Materials 53 (2016) 64–72. . Impact Factor: 1.981, SCOPUS.
Лаврентьев А.А. Электронно-энергетическая структура сложных халькогенидов и халькогалогенидов
Лаврентьев А.А., Габрельян Б.В., Ву В.Т., Хижун О.Ю. - Ростов н/Д,Издательский центр ДГТУ. - 2018. - 316 с.
Разрушение нитей накаливания в электроприборах: анализ матемаических моделей/А.А. Лаврентьев, Д.С. Цымбалов, О.В. Яценко, И.Н. Тареев
/Инновационные технологии в науке и образовании "ИТНО-2018": сб. науч. тр. междунар. науч.-метод. конф., п. Дивноморское, 6-9 сент. 2018 г. / ДГТУ, СКНИИМЭСХ. - Ростов н/Д; Зерноград, 2018. - С. 204-210